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东芝、NEC拟增产采Rambus架构之高速计算机记忆芯片
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2001年02月09日 星期五

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东京的日经英语新闻于今(8)日引述不具名产业消息来源指出,东芝和NEC计划增产采用Rambus架构之高速计算机记忆芯片,藉以满足高阶系统对该产品日渐增加的需求。

报导中指出,东芝正酝酿增产依据Rambus设计的动态随机存取记忆(DRAM)芯片。该公司计划从目前的230万颗月产量,在9月时提高至约800万颗。Rambus芯片传输数据的速率为标准DRAM的两倍,据了解,未来更将占东芝DRAM总产量的60%。

此外,NEC也打算于9月时增加月产量,由原来的200万颗提高到500万颗。至于较低阶的芯片,因受需求滑落的影响,目前两家公司都打算减产。而高速DRAM的需求,预料将伴随英特尔Pentium4处理器的推出而有增加的空间。

關鍵字: DRAM  东芝  NEC  动态随机存取内存 
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