RF Micro Devices宣佈已完成第一代48V氮化鎵（GaN）製程技術之技術資格審核。該公司發揮其既有的製造資產及於高量能複合式半導體設計與製造的經驗證專業，提供其新GaN製程之絕佳熱及RF效能。RFMD並已於多重終端市場中，開始對客戶進行48V GaN技術的小批量出貨。

RFMD的48V GaN製程技術，能滿足針對更高功率、更高效率和更寬頻寬之成長性客戶需求。該公司鎖定多重高成長應用領域，包括高線性度的CATV線性放大器、軍事雷達應用、寬頻無線基礎設施功率放大器、及用於革命性新高流明光振盪應用的電源模組。

RFMD多重市場產品事業群總裁Bob Van Buskirk表示：「不論生產或研發，我們所擁有之多重產品都將從新GaN技術獲益。此新製程技術提供我們新成立的多重市場產品事業群一個立即的競爭優勢，而我們在多重終端市場所持續的GaN技術部署，將隨著多重市場產品事業群的不斷成長，支持我們對於營收及擴大獲利的期望。」

Van Buskirk繼續表示：「RFMD 的新GaN製程技術提供比現有技術更高效率、更寬廣的操作頻寬及更高強固性，這些效能特性，正支援著橫跨多重高成長應用的設計活動。」