RF Micro Devices發表由RFMD所研發的新技術，以於RF應用中達到最高的功能整合性。此新技術包括密封式晶圓等級封裝(WLP)、微機電系統(MEMS)、整合式順形屏蔽、氮化鎵(GaN)、GaAs E/D pHEMT及GaAs BiFET。RFMD預期此新製程及致能技術，將支援該公司於2008年的預期成長，並延伸其於新蜂巢式產品領域的觸角, 包括蜂巢式模式開關、濾波器、雙工器及其它用於蜂巢式手機的高效能RF零組件。

RFMD新技術之基礎，為該公司對於最適技術匹配(OTM,Optimum Technology Matching)的長久堅持,透過此，RFMD的設計師根據成本及效能之考量，為每項應用選擇最適宜的技術。透過專為在RF應用上，增加功能整合性層次之致能技術的大幅延伸，RFMD的新技術趨動OTM更向前邁進了一步。除無線市場外, RFMD並預期其新技術將擴展該公司新成立之多重市場產品事業群(MPG)之目標市場的成長，包括無線基礎設施、無線存取、標準產品、寬頻/消費性及航太與國防領域。領導級的獨立研究公司Gartner最近並評定RFMD為數位用戶RF元件、以及蜂巢式功率放大器及前端模組之第一供應商。