记忆体大厂三星 17 日宣布，量产首批 8GB LPDDR5 记忆体颗粒，速率可达 6,400Mbps，比现有 LPDDR4-4266 记忆体快了 50%，同时功耗降低 30%，三星现在已经完成了 8GB LPDDR5 记忆体的测试。

三星在 2014 年就首发了 8Gb LPDDR4 记忆体，如今又第一个推出 8Gb LPDDR5 的记忆体颗粒，而且使用的是三星 1x 奈米等级的制程。由於，之前三星传出在制程微缩过程中出了状况。因此，在 8Gb LPDDR4 记忆体的生产上应该仍是沿用技术较为成熟的 1x 奈米制程。而且，在此之前，三星 1x 奈米制程已经推出了 16Gb GDDR6、16Gb DDR5 记忆体颗粒，再加上 LPDDR5 颗粒。

根据三星所发布的资料，量产的 8Gb LPDDR5 颗粒速率达到了 6,400Mbps（6.4Gbps），相比目前最快的 LPDDR4X-4266 记忆体快了 50%，频宽可达 512GB/s。三星目前预计供应两种速率的 LPDDR5 记忆体，一种是速率 6,400Mbps 的，电压 1.1V。另一种是电压 1.05V 的，速率 5 500Mbps，更加节能。

而除了性能大幅提升之外，三星 LPDDR5 记忆体在节能上也更有优势。包括处於活动模式下时会根据处理器的运行速度而降低电压，而且还支援新的深度睡眠模式，功耗比 LPDDR4X 的休息模式节省一半能耗。整体上，8Gb LPDDR5 记忆体的功耗可以降低 30%，提高行动装置的电池续航力。

三星指出，目前已经跟合作夥伴完成了 8GB LPDDR5 记忆体原型的开发及测试工作，这也代表着距离 LPDDR5 记忆体真正上市的时间应该不远。三星预计在南韩的平泽市的生产基地量产新一代的记忆体产品，其中包括 LPDDR5、GDDR6 及 DDR5 记忆体等。

叁考：科技新报