默克宣布将在日本静冈厂区投资逾7,000万欧元，兴建一个先进材料开发中心，预计此项目将於2026年投入营运。此次投资总额超过1.2亿欧元。新建的先进材料开发中心将以静冈现有的图形化制程卓越中心为基础，专注於开发与制程需求相符、符合环境标准的创新材料。

默克在日本静冈建设先进材料开发中心

默克的目标是通过扩建设施，整合关键研发能力，推动材料科技的创新，并提升运营效率，满足不断变化的市场需求。该中心占地5,500平方公尺，配备了最先进的无尘室和实验室设施，并设计为具高扩展性的结构，为未来扩增产能做好准备。

先进材料开发中心的成立，突显了默克对晶片技术推进与永续创新的承诺。该中心将专注於开发极紫外光（EUV）材料与定向自组技术（DSA），这些技术不仅能应对环境挑战，还将支持下一代应用，如人工智慧（AI）晶片及先进制程。这些技术对於半导体产业未来的发展至关重要，特别是在AI、5G等领域的应用中。

日本拥有世界领先的材料科学技术，特别是在半导体生产所需的高纯度、高品质的化学材料方面。日本制造的材料，如光刻膏（photoresist）、化学气相沉积（CVD）材料、?刻剂以及晶圆处理所需的各类化学品，都是半导体生产中的核心原材料。这些材料对於微米、甚至纳米级制程至关重要，任何微小的缺陷都可能导致整个晶片的制作失败，因此材料的质量必须非常高。

此外，日本在半导体制程材料方面的创新不断推动着行业的进步。例如，极紫外光（EUV）技术所需的高端光刻材料，正是日本企业在材料科学领域的突破成果。EUV技术是推动下一代制程技术的关键，而日本的化学公司在这一领域的领先地位，使得日本在全球半导体供应链中扮演着无可替代的角色。

新建的先进材料开发中心将专注於开发符合当前及未来半导体制程需求的创新材料，特别是在图形化制程（patterning）领域。图形化制程对材料的精度与性能要求极高。透过这项投资，默克不仅加强了在极紫外光（EUV）光刻材料等前沿技术的研发能力，还能推动更精细、更高效的制程材料解决方案，助力半导体制造技术迈向下一个层次。