Samsung（三星）于2016年的快闪记忆体高峰会（Flash Memory Summit）展示了其第四代Vertical NAND（V-NAND）技术，与一系列的高性能、高容量固态硬碟（SSD），以提供其企业客户与Z-SSD一套全新解决方案，该解决方案可提供基于快闪记忆体的储存装置崭新性能。

三星推出新一代V-NAND快闪记忆体。

三星电子记忆体事业部总裁Young-Hyun Jun表示，该公司最新推出的第四代V-NAND技术，可提供高容量、高性能，以及更小的尺寸，将有助于其客户实现更好的总持有成本（Total Cost of Ownership，TCO）。

Jun进一步表示，该公司也将继续推出更先进的V-NAND解决方案，且扩大闪存业务，并大大地提升产品性能与整体产品价值。

三星第四代V-NAND增加了30％的堆叠单元阵列，该公司推出的第四代、六十四层三阶储存单元（Triple-Level-Cell）V-NAND快闪记忆体，可促使NAND的封装更加紧密，且提高性能与存储容量。六十四层的堆叠单元阵列，可使新式V-NAND增加512GB的单晶片密度，以及将IO速度提升至800Mbit/s。

据了解，第四代V-NAND将在2016年第四季开始供货，届时将可协助制造商生产速度​​加快，且让设备更加轻便可携，同时可提供消费者更加灵活的运算环境。