iPod和iPhone的相繼問世，給快閃記憶體（Flash Momory）市場鋪了一條筆直的康莊大道，再加上固態硬碟（SSD）的增溫與影音產品的嵌入式儲存應用，更替此一市場掛上了保固延長和銷售保證。面對這「閃」得耀人的市場大餅，全球的半導體大廠也正磨刀霍霍，準備搶占一塊這得以食之數年的大市場。

三星電子展示了其32奈米的晶圓技術 BigPic:480x317

事實上，自不久前三星電子（Samsung）停電事件發生後，許多的記憶體供應商包含海力士（Hynix）和東芝（Toshiba）等，便嚐到了因三星短暫停產所帶來的轉單甜頭，同時也意識到這個市場不是僅由一家半導體廠便能獨佔，特別是在高階新興的產品應用上，於是相繼投入擴大產能與研發新製程的工作。

在擴大產能方面，以「合作代替對抗」是目前半導體廠加快市場搶佔速度的新策略。世界第二大的NAND記憶體供應商東芝與SanDisk合資的Fab 4廠日前已動工投產，這座位於日本名古屋的300mm晶圓廠在產能滿載時，預計能達到每月21萬片12吋晶圓的產量，而依目前的產能推估，至2008年第四季的月產量約可達67,500片晶圓；另一家由英特爾（Intel）和美光(Micron)合資的IM Flash Technologies也提高了在美國猶他州一座300mm晶圓廠的產量，並積極發展新的製程；而新力（Sony）日前也與德國奇夢達（Qimonda）宣布合作，將合組一個針對消費性裝置與繪圖應用的新記憶體合資公司，以強化雙方在記憶體市場的競爭能力；全球第三大NAND供應商海力士據說也將與SanDisk合資建設一座300mm的新晶圓廠，旦此消息仍未獲得證實。

而在製程方面，更先進的40奈米則為目前各大廠積極發展的製程技術。此市場的領先者三星電子，最早展示了其32奈米的晶圓技術，而隨後英特爾便在舊金山的IDF上展示了32奈米的晶圓技術；而東芝除了積極將產線轉至56奈米製程之外，也闢出一條43奈米的生產線，並計劃在2008年第一季投產；而美光與IM Flash也逐漸轉往50奈米等級的製成發展，並持續研發更小的製程，往微型化的體積發展。

依照整體的市場發展來看，未來的Flash市場仍會以NAND技術為主流，偏重於資料儲存的應用上，如MP3 Player、固態硬碟和數位錄影機等，而手機上的應用，包含手機記憶卡與內嵌式記憶體等，也將是其主攻的市場。而另一個帶起NAND記憶體市場需求的則為低價電腦，由於低價電腦的設計以耐用與低成本為主要考量，因此皆以快閃記憶體為其主要的儲存媒介。市場研究機構Gartner日前表示，包含OLPC在內等各種低價電腦，在2008年於開發中國家市場的銷售量將達到100萬部，更擴大了快閃記憶體的市場。

拓墣產研究所不久前便針對NAND Flash應用市場發表了一篇研究報告，指出，自2008年起，除了手持式消費性產品持續採用NAND Flash外，NAND Flash將透過NB與PC的使用，逐步擴大市場佔有率，市場需求將從2007年的6.7%成長至15.3%。