為了比較不同的操作模式，在各模式的評估模組（EVM）上都有一個電壓模式（VM）裝置IC-VM，一個電流模式（CM）裝置 - 此裝置有兩種配置，分別為IC-CM和IC-CM2，以及位於EVM上的磁滯模式裝置IC-HM。表1總結概述了四種EVM的規格。
表1 ：IC裝置對比表 模式 電壓模式 電流模式 磁滯模式 名稱 IC-VM IC-CM IC-CM21 IC-HM 控制模式細節 前饋式輸入電壓VM 峰值電流控制 D-CAP2?控制 校正 類型III 類型II 內部漣波注入 輸入電壓範圍 4.5V至16V 4.5V至17V 4.5V至18V 最大輸出電流 6A 6A 6A 高壓側FET 26mΩ（整合） 26mΩ（整合） 36mΩ（整合） 低壓側FET 13mΩ（整合） 19mΩ（整合） 28mΩ（整合） 電頻 600kHz 633kHz 1.2MHz 688kHz 電感 1μH 3.3μH 3.3μH 1.5μH 輸出電容 22μF x 5 （陶瓷） 100μF x 2 （陶瓷） 220μF （鉭） 22μF x 2 （陶瓷） L*COUT共振頻率 15.2 kHz 6.20 kHz 5.91 kHz 19.6kHz 輸入電容 為消除輸入阻抗對測量資料的影響，旁路電容的寬頻範圍將與各板邊連接。 ...... 使用者別 新聞閱讀限制 文章閱讀限制 出版品優惠 一般訪客 10則/每30天 5/則/每30天 付費下載 VIP會員 無限制 20則/每30天 付費下載 Login 成為VIP會員
表1 ：IC裝置對比表
模式 電壓模式 電流模式 磁滯模式
模式
電壓模式
電流模式
磁滯模式
名稱 IC-VM IC-CM IC-CM21 IC-HM
名稱
IC-VM
IC-CM
IC-CM21
IC-HM
控制模式細節 前饋式輸入電壓VM 峰值電流控制 D-CAP2?控制
控制模式細節
前饋式輸入電壓VM
峰值電流控制
D-CAP2?控制
校正 類型III 類型II 內部漣波注入
校正
類型III
類型II
內部漣波注入
輸入電壓範圍 4.5V至16V 4.5V至17V 4.5V至18V
輸入電壓範圍
4.5V至16V
4.5V至17V
4.5V至18V
最大輸出電流 6A 6A 6A
最大輸出電流
6A
高壓側FET 26mΩ（整合） 26mΩ（整合） 36mΩ（整合）
高壓側FET
26mΩ（整合）
36mΩ（整合）
低壓側FET 13mΩ（整合） 19mΩ（整合） 28mΩ（整合）
低壓側FET
13mΩ（整合）
19mΩ（整合）
28mΩ（整合）
電頻 600kHz 633kHz 1.2MHz 688kHz
電頻
600kHz
633kHz
1.2MHz
688kHz
電感 1μH 3.3μH 3.3μH 1.5μH
電感
1μH
3.3μH
1.5μH
輸出電容 22μF x 5 （陶瓷） 100μF x 2 （陶瓷） 220μF （鉭） 22μF x 2 （陶瓷）
輸出電容
22μF x 5
（陶瓷）
100μF x 2
220μF （鉭）
22μF x 2
L*COUT共振頻率 15.2 kHz 6.20 kHz 5.91 kHz 19.6kHz
L*COUT共振頻率
15.2 kHz
6.20 kHz
5.91 kHz
19.6kHz
輸入電容 為消除輸入阻抗對測量資料的影響，旁路電容的寬頻範圍將與各板邊連接。
輸入電容
為消除輸入阻抗對測量資料的影響，旁路電容的寬頻範圍將與各板邊連接。
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