概述

現今已經被確定的記憶技術可分成兩種，首先是揮發性記憶體。一般而言，系統應用非揮發性記憶體來純粹讀取或者大部份以讀取為主的記憶功能，因為揮發性記憶體較為困難寫入。 這些記憶體都是以ROM技術為基礎的衍生物，包括EPROM、EEPROM以及快閃 EPROM。

第二種則是非揮發性記憶體，這些記憶體屬於RAM裝置，其中包括SRAM和DRAM。由於非揮發性記憶體容易寫入，因此RAM就常被應用於儲存經常改變的數據資料。不過當使用者能容易地將數據寫入RAM 時，其很容易揮發的性質，若在電源喪失的情況下儲存大量的數據資料，技術上對於工程師來說是一項挑戰。鐵電隨機存取記憶體（FRAM），被業界認為是理想的非揮發性記憶體。FRAM 記憶體具有容易寫入的優點，並且非揮發性的特性，使其十分適合作為喪失電源時儲存數據的記憶體。供貨數量有限的FRAM 產品已經問世數年，技術現正迅速發展，逐漸引導成為記憶體的主流。以下的技術註解，將提供簡短的操作解釋，並簡單概述其開發現況。
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