相較於矽（Si），採用碳化矽（SiC）基材的元件性能優勢十分的顯著，尤其是在高耐壓與耐高溫的性能上，然而，這些優勢卻始終未能轉換成市場規模，讓這個問世已十多年的高性能元件一直束之高閣。主要的原因就出在碳化矽晶圓的製造和產能的不順暢。

由於物理的特性，碳化矽材料擁有很高的硬度，目前僅次於金剛石，因此在生產上勢必要在高溫與高壓的條件下才能生產，一般而言，需要在2000°C以上高溫（矽晶僅需在1500°C），以及350MPa以上才能達成。若透過添加一些特殊的助燒劑，或者氣體沉積的方式，則可使碳化矽燒成溫度降到2000°C左右，且在常壓就能進行。

高溫、速度慢 碳化矽長晶製程難度十足
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