GLOBALFOUNDRIES 晶圓8廠實現20奈米及3D晶片堆疊技術

GLOBALFOUNDRIES日前宣佈，其劃時代的新技術將可為新一代的行動與消費性應用實現 3D 晶片堆疊。該公司位於紐約薩拉托加郡的晶圓 8 廠已安裝一套特殊生產工具，可在半導體晶圓上建立矽穿孔 (TSV) 技術，作業於其最頂尖的 20奈米技術平台上。 TSV 功能允許客戶將多個晶片垂直堆疊，為未來電子裝置的嚴苛需求開創出一條新的道路。

TSV 的本質是在矽上以蝕刻方式垂直鑽孔，再以銅填滿，使垂直堆疊的整合式電路間得以進行通訊。 例如，該技術允許電路設計師將記憶體晶片的堆疊放置在應用程式處理器之上，大幅提升記憶體頻寬及降低耗電量。而這也是新一代行動裝置，如智慧型手機及平板電腦設計師所面臨到的最大難題。

在頂尖的節點中採用 3D 整合式電路堆疊，逐漸被視為一種替代方案，可用以調整在電晶體上的傳統技術節點。 然而，引進新的封裝技術後，晶片封裝的相互作用複雜性也大幅提升，代工廠與合作夥伴在提供端對端的解決方案時，也較不易滿足多元的頂尖設計需求。
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