GLOBALFOUNDRIES推出22奈米FD-SOI技術平台

為滿足下一代連網裝置超低功耗的需求，GLOBALFOUNDRIES推出研發的最新半導體技術：22FDX平台，能達到如FinFET的性能和能效，成本趨近於28奈米平面式（Planar）技術，適用於不斷推陳出新的主流行動、物聯網、RF連結及網路市場。

圖一 : 22FDX提供物聯網、主流行動、RF連結和網路市場中兼具性能、功耗和成本之選擇。

雖然有些應用會要求到3D FinFET電晶體頂級性能，但多數的無線裝置需要的是性能、功耗和成本之間的最佳綜合考量。運用22nm 2D FD-SOI技術（Fully Depleted Silicon-on-Insular；全空乏絕緣覆矽），22FDX提供了成本敏感應用的選擇途徑。憑藉0.4伏特的運作電壓，達到超低動態功耗、更低熱效應，以及更精巧的最終產品尺寸規格。相較於28nm，22FDX晶粒尺寸縮減20％，光罩數目減少10％；而相較於foundry FinFET，更減少近50％的浸潤式微影層。

GLOBALFOUNDRIES公司營運長Sanjay Jha表示，22FDX平台讓客戶善用最佳的功耗、性能和成本之綜合表現，推出有別於市場的產品。22FDX率先推出即時系統軟體可控制電晶體特性，系統設計師能夠動態平衡功率、性能和漏電。此外，對於RF和類比整合來說，這個平台提供了調整彈性同時具備能源高效率。
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