ASML助晶圓代工簡化工序 2025年每晶圓用電降30~35%

因AI人工智慧驅動半導體需求，全球晶片微影技術領導廠商艾司摩爾（ASML）今（6）日於SEMICON Taiwan 分享新一代高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術，並表示將協助晶片製造商簡化製造工序、提高產能，並降低每片晶圓生產的能耗。

圖一 : ASML High NA EUV 產品管理副總裁 Greet Storms

基於全球半導體產值到2030年可望將達1兆美元，依SEMI預估AI驅動的半導體產業成長，將占5成以上。為了持續使晶片微縮成本更具效益，推動摩爾定律的進展。ASML今日也分享其最新一代 High NA EUV 微影技術。

透過採用最新光學元件，將數值孔徑（numerical aperture）從0.33提升至0.55，以提供更高成像解析度；臨界尺寸（critical dimension, CD）可達到8nm，讓晶片製造商可以在同樣單位面積的晶片上，實現較現今高出2.9倍的電晶體密度；且成像對比度較上一代0.33 NA EUV提高 40%，可大幅降低成像缺陷。
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