由台灣廠商投資的美國聯邦先進半導體科技公司(Union Semiconductor Technology)於7月在台發表巨磁阻隨機存取記憶體(MRAM)，掀起國內外各界對未來記憶體的發展產生極大的興趣。巨磁阻(Giant Magnetoresistance effect,GMR)效應於1980年代由兩位歐洲科學家─德國Peter Gruenberg於KFA研究中心，及法國Albert Fert於University of Paris-Sud，分別發表此發現及理論。他們在薄膜複合金屬材料上(主要鎳、鐵、鈷等磁性材料)發現巨磁阻變化，導致各國科學家開始合作研究巨磁效應如何應用於磁阻記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)的開發與未來實際應用。

MRAM的原理介紹

MRAM的GMR材料主要結構(圖一)(圖二)是由一層非磁金屬層(spacer layer of a non-magnetic metal)被夾於兩層(上、下層)磁金屬層中間(two magnetic metals')。電阻決定於兩層磁金屬的磁化方向─平行同方向排列，或平行非同方向排列。如果上磁層與下磁層為同方向排列，電阻值最低時可定義為〝0〞bit。如上下磁層為反方向排列，電阻值最高時可定義為〝1〞bit。由此上下磁層的排列方向即可寫入〝0〞bit或〝1〞bit。
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