前言

從類比微調應用中的位元級、一直到數據或代碼儲存的千位元等級，CMOS 相容的單一多晶片嵌入式 NVM 的應用範圍越來越廣。CMOS 的相容性設計，卻給工程師帶來必須克服保存和耐久性的挑戰，因為浮動閘直接與後端電晶體接觸，所以在高溫下，數據保存力很差。洩漏和添加劑外形沒有針對熱載流子的產生和注入進行最佳化。循環導致氧化物損害嚴重，使得耐久力變差。本文所介紹的一些機制和解決方案，可驗證出實驗結果與理論分析是趨於一致的。

介紹
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