近年來，雙極電晶體發展迅速。過去高功率開關應用主要依靠MOSFET；但現在越來越多的應用領域逐漸採用雙極電晶體，如消費性電子和通訊領域可擕式設備的充電電路和負載開關器。其中主要原因為，透過提高半導體晶片中電流均衡分配能力，可降低飽和電阻，進而發展出電流增益更高且穩定的元件。雙極電晶體既有的弱點-電流驅動問題-可得到顯著改善，並再次發揮雙極電晶體在溫度穩定性、ESD強度和反向阻斷（blocking）上的優勢。

透過推出突破性小訊號（BISS）電晶體產品系列，恩智浦取得市場領導地位。第四代BISS電晶體（BISS 4，請參考圖五表１）的新架構更是SMD封裝型中功率雙極電晶體發展的里程碑，使應用範圍擴展至更具吸引力的領域。

《圖一　摻磷或摻砷基板可大幅降低壓降中半導體引起的壓降比例》

兩種產品類別-產品的架構與規格
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