NTT開發AlN高頻晶體管 有望重塑通訊與功率半導體產業版圖

NTT研究團隊成功研發全球首個以氮化鋁（Aluminum Nitride, AlN）為基礎的高頻晶體管。這款 AlN 高頻晶體管能在極高頻率下進行無線訊號放大，包括支援毫米波（mmWave）頻段，使其在後 5G、6G、衛星通訊以及新世代無線系統中具有革命性意義。

圖一 : NTT成功開發AlN高頻晶體管

NTT 表示，AlN 展現的性能指標大幅超越目前市場主流的氮化鎵（GaN）晶體管。不論是在斷電場強度、高電子飽和速度，或是在高頻運算效率方面，AlN 都具有前所未見的表現。這意味著未來半導體可在更高電壓、更高速的條件下運行，同時具備更低的損耗與更佳的熱穩定性，使其成為高頻通訊與高功率轉換技術的下一代核心材料。

長期以來，GaN 一直被視為高頻與高功率的主流材料，包括射頻前端（RF FE）、5G 基站、電動車功率模組、雷達與工業應用皆大量採用。然而，隨著通訊標準邁向更高頻寬、更低延遲的 6G 時代，GaN 的材料極限逐漸浮現。AlN 的出現，使產業看見更廣闊的高頻應用可能性，尤其在毫米波與太赫茲（THz）頻段，其材料優勢尤為突出。
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