半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN^?產品GaN HEMT，被日本先進電子元件、電池和電源製造商村田製作所集團旗下Murata Power Solutions的AI（人工智慧）伺服器電源所採用。ROHM的GaN HEMT具有低損耗工作和高速開關性能，助力Murata Power Solutions的AI伺服器5.5kW輸出電源產品實現小型化和高效工作。預計於2025年開始量產。

圖一 : 650V耐壓、TOLL封裝的GaN HEMT有助進一步提高電源效率

近年來隨著AI（人工智慧）和AR（擴增實境）等在IoT領域的發展，資料通訊量在全球市場呈現持續增加的趨勢。其中，使用AI進行一次查詢所消耗的電量，據說比一般網頁搜索要高出數倍，因而需為處理該查詢的高速運算設備等供電的AI伺服器電源進一步提高效率。另一方面，具有低導通電阻和高速開關特性的GaN元件因有助電源的高效工作和週邊元件（如電源電路中使用的電感等）的小型化而備受矚目。

Murata Power Solutions Technical Fellow Dr. Joe Liu 表示：
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