帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES / 文章 /
先進互連架構-X架構之介紹與探討
 

【作者: 陳少傑、何宗易】   2005年01月01日 星期六

瀏覽人次:【3377】

在奈米技術下,減少電路互連延遲(interconnect delay)為決定效能(performance)的最關鍵因素之一,因此設計全程皆需考慮互連的效應,即以互連為導向之設計流程(interconnect-driven design flow),以達成timing closure及design convergence。除此之外,近幾年來半導體大廠紛紛投入大筆經費研究新的製程技術,例如銅製程連線技術等等,更突顯出了減少電路互連延遲的重要性。


基本上,減少總線長(wirelength)可以同時減少電路互連延遲,但跟最佳繞線距離(euclidean distance)相比,傳統上使用垂直繞線(orthogonal routing)的曼哈頓架構(Manhattan-architecture)卻可能會增加總線長。為了克服曼哈頓架構的缺點,X-initiative[1]力推X架構(X-architecture)來解決電路互連延遲的問題。


X架構簡介與市場現況

X架構是一個使用對角繞線(diagonal routing)的先進互連架構電路。跟傳統使用的曼哈頓架構不同,除了前三層使用垂直繞線外,X架構通常使用第四及第五層繞線來作45及135度的繞線,如(圖一)。根據報導,X架構平均可以減少20%的總線長及30%的總貫孔數(via),藉此可同時改善晶片效率、功率與成本。而X架構對EDA軟體帶來的衝擊不只是在繞線方面,在平面規劃(floorplan)、置放(placement)、時脈繞線(clock routing)等等步驟上也都要重新研究新的演算法來利用X架構帶來的好處。


《圖一 X架構繞線層》
《圖一 X架構繞線層》

X Initiative、益華電腦(Cadence)與東芝即曾聯合宣佈,東芝推出第一套採用創新X架構所開發的商用系統單晶片(SoC)元件,?X架構寫下重大里程碑。X架構是一套大規模整合的新模式,協助業者製造更小、更快的晶片。東芝最新的TC90400XBG 晶片體現X架構的各種效益,提供一套性能強大、小型化、高整合度的解決方案,支援各種新一代數位影片播放與多媒體家庭娛樂方面的應用。


X 架構是針對晶片中細微互連電路開發的新型繞線法,運用對角電路搭配傳統的垂直曼哈頓繞線法。這種創新的架構讓晶片內的線路大幅減少,並讓SoC元件可使用較少的貫孔來連結各個電路層。X架構創造出更上一層樓的元件效能標準,為新一代數位媒體與其它先進消費性產品帶來顯著的利益。東芝與益華電腦合作開發X架構,並贊助X Initiative,這個組織已號召超過四十家領導廠商,共同建構產品邁入量產所需的設計鏈,加速X架構邁入商業應用的階段。


東芝的里程碑晶片TC90400XBG,如(圖二),採用130奈米的製程技術,其設計目標是希望能整合在數位媒體與家庭娛樂的系統。相較於採用傳統「曼哈頓」設計流程的東芝同級產品,納入X架構的新晶片能提供加快11%的速度,及體積縮小10%的隨機邏輯元件。新晶片的樣本於2004年11月推出,預定於2005年第二季開始量產。東芝的TC90400XBG已爭取到第一個客戶─這款晶片將整合在多款數位電視中,初期將於歐洲市場發表。


《圖二 TC90400XBG佈線設計圖》
《圖二 TC90400XBG佈線設計圖》

東芝半導體SoC設計部門技術經理Takashi Yoshimori 強調里程碑對於該公司與X計畫皆具有極高的重要性,指出東芝透過與益華電腦及多家X Initiative成員合作,開發出業界第一套採用X架構的SoC。該產品能夠滿足市場對於效能型單晶片解決方案的多元化需求,發展出比傳統設計更快、更小的晶片。而透過這套設計流程,東芝也可進一步鞏固在SoC市場的地位。


X Initative創始小組成員暨益華電腦新事業籌畫部門技術長Aki Fujimura則表示,東芝在X架構扮演統籌者的角色,加速設計方案邁入商業應用階段,包括開發第一套90奈米功能測試晶片(在2003年於日本舉行的CEATEC消費性電子展中發表)。該公司欣見這項設計架構能成為許多主要設計應用,如數位媒體技術的選擇,並認為東芝的產品將為X架構的產品化邁入下一階段奠定基礎,使該架構朝向為全球半導體業界廣泛採納的目標邁進。


以下這篇文章,將繼續探討X架構對繞線及置放的影響。


繞線(Routing)

對角繞線並不是在近期才被提出,在早期對角繞線只應用在印刷電路板(printed- circuit board)上去做平面繞線,而在一般IC上只使用jog來作短距離的對角繞線。而在IC製程技術進步後,對角繞線已經可以完全的應用在一般IC繞線上。因此,現在的X架構一般應用在五層以上金屬層的晶片上。為了簡化一般standard cell、memory compiler及Hard IP上的繞線,第一到第三層的繞線仍是垂直繞線,而第四、五層才使用對角繞線作全面的繞線。


現今大多數的繞線器(router)大多是以格線為主的繞線器(grid-based router),除此之外,大多數的製程在第二到第五層的繞線是使用相同間距(pitch)及線寬(wire width)的,這樣做的目的是為了要讓貫孔的位置對齊。但是若將第四、五層作對角繞線的話,為了讓貫孔的位置對齊,垂直繞線跟對角繞線的交接點必須落在格線上,這樣一來,對角繞線間距變成只有(71%)的垂直繞線間距,而違反了最小間距的設計法則(design rule)。而若要同時兼顧接點對齊及最小間距,對角繞線間距需加大到(141%)的垂直繞線間距,如此一來卻浪費了可用的繞線空間,如(圖三)。因此,若要處理X架構上的繞線問題,最好是用無格線的繞線器(gridless router)來作繞線。無格線的繞線器可以根據製程的設計法則來調整線寬,進而同時兼顧貫孔對齊、最小間距及繞線資源(routing resource)的問題。


《圖三 對角繞線與垂直繞線間距的關係》
《圖三 對角繞線與垂直繞線間距的關係》

X架構雖然可以減少總線長,進而減少電路連線延遲,但對現今電路連線方面,貫孔的影響也是不容忽視的。一個貫孔產生的延遲,相當於在鋁鎢製程中50間距的線長,就算是在先進的銅製程中,也相當於有15間距的線長。在X架構上,若大量使用對角繞線的話,可能會造成貫孔的增加。以(圖四)為例,圖四(a)為在曼哈頓架構下繞線的結果,而圖四(b)為在X架構下繞線的結果。雖然圖四(b)中的總繞線長度小於圖四(a)中的總繞線長度(1+23.828 < 5),但其使用的總貫孔數較多。


為了解決X架構上總貫孔數會增加的問題,先進製程廠便提出了液態繞線(liquid routing)方法來解決這問題。跟傳統每一層金屬層只能做單一方向繞線的繞線方法不同,液態繞線是指在每一金屬層都可以做八方向的繞線,如圖圖四(c)。藉此,可大大減少總貫孔數,進而改善電路連線延遲所帶來的影響。


《圖四 (a)曼哈頓架構繞線;(b)X架構繞線;(c)液態繞線》
《圖四 (a)曼哈頓架構繞線;(b)X架構繞線;(c)液態繞線》

接下來以一個真實的晶片為例,在(圖五)(a)中為一使用曼哈頓架構繞線的結果,圖五(b)為一使用液態繞線作修改過後的繞線結果。在這個例子中,使用液態繞線所減少的總線長達14%,而總貫孔數更減少到40%,這些都證明了液態繞線在X架構下的確是扮演一重要的角色。


《圖五 (a)曼哈頓架構繞線;(b)液態繞線》
《圖五 (a)曼哈頓架構繞線;(b)液態繞線》

置放(Placement)

大多現今的放置器(placer)仍是以垂直線長當作其好壞評斷標準。因此,對一個由△X及△Y所構成矩形框(bounding box)的兩點連線(two-pin net)而言,放置器會試著去對△X+△Y去做最佳化。雖然在一般曼哈頓繞線架構下,縱橫比(aspect ratio)不會影響放置器的好壞評斷標準(),但在X架構下,縱橫比卻大大影響了放置結果的好壞。在縱橫比為0的情況下,代表著沒有使用任何對角繞線,也就是說線長沒有任何的改善;而若在縱橫比為1的情況下,代表著完全使用對角繞線,而線長也改善了29.3%。而對於一兩點連線的線長改善之期望值如下式:


《公式一》
《公式一》

除此之外,我們還可對X架構放置器的線長做進一步的改善。以一個介於A及B兩個component之間的兩點連線v為例,若v以A為中心,長度為L,那在曼哈頓架構下,B將會落在以A為中心,長度為L的菱型上;若在X架構下,B會落在以A為中心,長度為L的八角型上;如(圖六)。


《圖六 X架構放置器 vs. 曼哈頓架構放置器》
《圖六 X架構放置器 vs. 曼哈頓架構放置器》

由於此X架構放置器的線長是曼哈頓架構的倍,會對效能等造成影響。因此,我們將B可放置的八角型面積縮小成跟曼哈頓架構的菱形一樣大,如(圖七),來減少放置的總線長,進而改善晶片效能。


《圖七 X架構放置器之線長改善》
《圖七 X架構放置器之線長改善》

結論

X架構是第一套大量運用斜角互連線路的量產型設計技術,能降低晶片內部20%的互連或佈線資源,並減少30%的貫孔數量。在過去20年來,晶片設計一直採用業界標準的「曼哈頓」架構,其名稱來自它像城市街道網絡般的直角互連線路。X架構將原本曼哈頓架構上第四及第五金屬電路層上的互連線路旋轉45度。新架構在1至3層上仍舊延用曼哈頓型式,故在單元庫(cell libraries)、記憶體單元、編譯器、以及IP核心等方面依然保持和現有技術之間的相容性。相信在EDA軟體跟製程廠相互配合下,X架構必定能大大改善晶片的效能、功耗及成本。(作者陳少傑為台大電子工程學研究所/台大系統晶片中心研發教授,何宗易為研究生 )


<@參考資料:


[1] X initiative: http://www.xinitiative.org/wt/home_flash.php


[2] S. Teig, ``The X Architecture: not your father's diagonal wiring,'' Proc. SLIP, pp. 33-37, Apr., 2002.


[3] C. K. Koh and P. H. Madden, ``Manhattan or Non-Manhattan? A Study of Alternative VLSI Routing Architectures ,'' Proc. GLSVLSI, pp. 47-52, 2000.


[4] B. Choi, C. Chiang, J. Kawa, and M. Sarrafzadeh, ``Routing Resources Consumption on M-arch and X-arch,'' Proc. ISCAS, 2004.>


相關文章
AI高齡照護技術前瞻 以科技力解決社會難題
3D IC 設計入門:探尋半導體先進封裝的未來
SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
意法半導體的邊緣AI永續發展策略:超越MEMS迎接真正挑戰
CAD/CAM軟體無縫加值協作
comments powered by Disqus
相關討論
  相關新聞
» ST推廣智慧感測器與碳化矽發展 強化於AI與能源應用價值
» ST:AI兩大挑戰在於耗能及部署便利性 兩者直接影響AI普及速度
» 慧榮獲ISO 26262 ASIL B Ready與ASPICE CL2認證 提供車用級安全儲存方案
» 默克完成收購Unity-SC 強化光電產品組合以滿足半導體產業需求
» 新思科技與台積電合作 實現數兆級電晶體AI與多晶粒晶片設計


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.144.3.43
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw