2003年12月，半導體微影技術，正式進入另一個技術領域。在此之前，我還以為微影技術仍會照著ITRS（國際半導體技術藍圖）的原先藍圖進展，混然未察覺的是，在這個微寒的冬季，科技有又有重大的進展：「浸潤式微影技術」（Immersion Lithography）隆重登場。

微影技術的發展，一直以來都象徵著製程的進步、線寬能否再微縮化等等內容，在半導體產業裡具有重大的指標意義。針對65奈米以下光罩製作，浸潤式微影技術的出現，也代表著舊式製程已漸漸欲振乏力，需要新式技術來解決製作問題。（相較於業界現有的193奈米的曝光機，需搭配特殊光罩組件，才能支援 65奈米製程。）

然而浸潤式微影技術之所以受到產業界重大的關注，除了納入ITRS外，台積電力拱該微影技術，更使得該技術受到媒體大眾的注意。台積電為推動浸潤式微影技術，這二年多以來努力推廣該技術的可行性，主要是因為台積電的研發結果發現，將193奈米微影設備加入浸潤功能後，無需更換193奈米所需之光阻材料，解析度即可產出超過157微影設備的等效波長，達到132奈米設備等級的等效波長。
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