相较于矽(Si),采用碳化矽(SiC)基材的元件性能优势十分的显著,尤其是在高耐压与耐高温的性能上,然而,这些优势却始终未能转换成市场规模,让这个问世已十多年的高性能元件一直束之高阁。主要的原因就出在碳化矽晶圆的制造和产能的不顺畅。
由于物理的特性,碳化矽材料拥有很高的硬度,目前仅次于金刚石,因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产,一般而言,需要在2000°C以上高温(矽晶仅需在1500°C),以及350MPa以上才能达成。若透过添加一些特殊的助烧剂,或者气体沉积的方式,则可使碳化矽烧成温度降到2000°C左右,且在常压就能进行。
高温、速度慢 碳化矽长晶制程难度十足
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