SSD读写次数受限
随着半导体制程不断进步,单颗NAND Flash储存容量也因此提升许多,从以往256MB到现在16GB,市场单价不断降低也有助于扩展市场应用的接受度。以电子储存为基础的固态硬碟SSD和记忆体模组设计,结合控制IC和NAND Flash,利用传统区块写入抹除方式并仰赖读写存取的设计效能,具备低耗电、重量轻、尺寸小、无噪音、耐震、开机速度快等特性优势。
不过NAND Flash本身的电子闸在读取次数越高的情况下越不稳定,且NAND Flash写入前必先全部抹除、即使是写入1bit也要全部抹除的特性,连带使得SSD读写次数有所局限。整体而言,SSD写入速度不若读取速度,也是影响SSD使用感受的问题。目前SLC架构的SSD读写次数可达10万次左右,一般为3~5万次;而MLC SSD则在5000~1万次左右。尽管MLC SSD架构却因其特性可大幅扩充储存容量,价格也较低,常应用于各类消费电子产品。不过MLC颗粒特性却会带来写入次数少、写入速度慢、可靠稳定度较差、寿命较短等问题。克服MLC架构缺憾对于提升SSD应用普及度而言,相当重要。
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