由於STT-MRAM（自旋轉移距－磁性隨機存取記憶體）具有快速、非揮發性、耐用，低功耗和可擴展的優點，是目前正迅速獲得關注的新記憶體技術之一。它是替代eFlash的強大候選者，尤其是對汽車、物聯網和其他低功耗應用特別有吸引力。然而，為了支援在高產量時所需要的高良率，它需要新的測試方法。

STT-MRAM技術是一種電阻式記憶體，由於裝置的磁性狀態，使其資訊位元（bit）可以被儲存在其中。它是基於磁性穿隧接面（MTJ），一種同時具備非揮發性、高速、可靠、可擴展且低功耗的基本自旋電子元件。MTJ被整合在CMOS製程的互連層中，它的結構像是三明治一樣，有兩個鐵磁層，分別稱為自由層（FL）和參考層（RL），並由作為隧道位障的薄絕緣體隔開。

當FL和RL的磁化方向平行（P）時，此裝置具有低電阻狀態；反平行（AP）時，該裝置具有高電阻。在晶片操作裡，STT-MRAM被編程，如基於電晶體的儲存技術一樣。然而，儲存在STT-MRAM中的資訊是以磁性存在，一些新的電氣測試需要在STT-MRAM晶片製造過程中施加外部磁場。這些測試目的是提取物理參數，加快測試速度，並評估磁抗干擾性。
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