今天，全耗盡型絕緣層上矽（FDSOI）CMOS技術因超高開關速度、超低功耗（ULP）和適中的成本而引起業界廣泛的關注。在這種情況下，物聯網（IoT）和射頻用超薄體矽BOX層（UTBB）元件預計達數十億個。這項先進技術有很多特點。超薄元件將會受益於可調閾壓值、低洩漏電流和優化的寄生電容、遷移率和亞壓值斜率（SS）[1-3]。

現在重點介紹能帶調製元件（FED [4–6]、Z2-FET [7–10]和Z3-FET [11, 12]），應用廣泛，可用於研製ESD [13–16]防護組件、記憶體[5, 17–19]和快速邏輯元件。[4].參考文獻[8]提出的標準Z2-FET具有快速開關、低洩漏電流和可調觸發電壓。通過比較發現，無前柵的 Z3-FET [ref]的觸發電壓 Vt1 更高，同時雙接地區域使其能夠承受高電壓。標準 Z2-FET的升級版因市場對更高的Vt1 電壓和超低功耗的需求而產生，採用先進的FDSOI技術，在前柵下面增加一個N型接地區域, 稱之為 Z2-FET DGP。
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