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改朝換代的Advanced In-cell觸控技術
一場優勝劣敗的戰爭

【作者: 李祥宇】   2012年09月07日 星期五

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近來市場上甚嚣塵上的一個消息是,iPhone 5 很可能會使用In-cell touch 的觸控技術。這件事終於引起的大家的注意,一場In-cell touch技術的再進化已經悄悄的展開,這種大魄力、大格局的創新改變,將面板與觸控產業緊緊的綁在一起。


從已公告的專利來分析,已投入的主要廠商分別是美國的Apple、韓國的三星、日本的Sony,與台灣的SuperC_Touch,其他的廠商還包括LG、Sharp、TMD、友達、奇美、華映、彩晶等國內面板廠。未來若有相同或類似於上述先驅者的專利,就會落入不利的地位,日後是否有機會加入戰場,還要看迴避專利設計的功力了。


而觸控模組廠商如宸鴻、勝華、洋華、介面、牧東等,因為沒有面板的生產優勢,就必須往更高級的應用邁進,不然就有淘汰出局的隱憂。觸控IC設計的角色會越來越重要,有些還必須與LCD驅動IC一起協同設計,面對的技術挑戰也越來越高,一場優勝劣敗的戰爭在所難免。


In-cell Touch各家作法剖析

何謂 Advanced In-cell touch 的觸控技術?它跟傳統In-cell Touch的技術有何不同?其實大家可以這樣想像,Advanced In-cell觸控技術的目的在於把觸控功能放入LCD內部時,不能增加新的元件,也就是取代掉現在的外掛式觸控面板。在設計上,由於面板的開口率直接影響LCD的耗電,對行動裝置而言,是首要考慮到的問題,因此In-cell的作法不能降低開口率,其重要性更勝於成本考量與生產良率。



圖一
圖一

LCD的基本結構中,上玻璃有黑色陣列(BM)層位在上玻璃基板的下面,彩色濾光片的上面。一般On-cell觸控技術的Rx感應層及Tx訊號層做在上玻璃之上方(參考圖一),In-cell技術則做於LCD結構之中,以下分別剖析三項重要的In-cell做法。


Sony作法剖析

Sony的做法是將感應層Rx用 ITO做在上玻璃的上面,把Vcom 的 ITO平面切成一條條的寬平行線做為Tx訊號層,如果LCD是VA,TN型時Vcom就在LCD 上玻璃的下面。此作法看起來就像把DITO的結構加上BM與Color Filter後當LCD的上玻璃使用。


如果LCD 是IPS型時,Vcom就在下玻璃的上面,這又像把LCD的上下兩片玻璃當觸控的G/G Type來使用,因為有用到LCD的上玻璃的部分,可以視為 On cell 與 In-cell的混合設計,觸控IC的挑戰較簡單所以比較容易成功。如 Sony 最新的手機,擁有Floating touch的功能,用的觸控IC就是由Cypress所提供,目前已是可量產技術。但是此技術的面板生產良率會較差,就筆者的觀點來看是屬於過渡型的產品。


Apple作法剖析

Apple 只用IPS型的LCD來實現其In-cell架構,所以V com層在下玻璃的上面,將 V com的平面刻劃成類似 SITO的圖案(請參考圖五),再使用金屬線來跨橋連接(圖五中的305),所以訊號層Tx 與 感應層Rx都在下玻璃上面的同一層平面上,可以想像成用LCD的下玻璃做SITO結構的觸控技術。


由於用來連接 Tx 與 Rx圖案的金屬線,在不能降低LCD的開口率條件下,必須與Gate line、Data line做成立體結構,所以Apple用了三層的立體金屬線結構(參考圖五),如此也增加了面板生產的難度,所以在面板生產良率上將會很辛苦,這也是為什麼Apple 把 Advanced In-cell touch的觸控螢幕交給日本面板廠生產的主要原因。


圖二
圖二

在觸控IC設計方面,由於在觸控電極的上方有儲存電荷的 ITO 電容,會遮蔽手指影響電力線的反應,降低感應量的變化,而ITO電容上的電荷會產生漏電流,形成測量上的雜訊,使用V com層作為訊號層時,ITO電容上的電壓就會成為雜訊的主要來源,所以觸控IC設計的困難度會相當高,好在Apple有龐大的資源可以不計代價的完成這個艱鉅的任務,換做他人早就認輸投降了。


三星作法剖析

三星將感應層Rx用的圖案做在BM層的下面,或用金屬BM直接做成 Rx的圖案(參考圖六),將Tx做在V com層上,由於只改變了BM層的圖案與V com層的圖案,其他的製程都沒改變,所以在生產上幾乎沒有困難,良率與開口率都不會降低,缺點在於給觸控IC設計上有難以跨越的障礙。


與Apple所面臨的挑戰相同,其Rx與Tx的距離只有幾個微米 (um),比Apple更近,手指距離Tx,Rx太遠,會讓觸控變化量變的非常小,LCD內部的雜訊又非常大,如果沒有可以有效抑制雜訊的作法,以提高感應的靈敏度的方法來設計觸控IC,要量產的困難將會發生在找不到可以使用的觸控IC上。


SuperC_Touch作法剖析

SuperC_Touch將單層All points的圖案做在BM層的下面或直接用金屬BM做圖案(請參考圖七),這方法跟三星的感應層Rx 的製作方法一樣,但是不必使用訊號層Tx,所以沒有更動V com的透明電極層,因此SuperC_Touch的方法在生產上又比三星的方法更簡單,也不會影響到良率與開口率,配合自行研發的微擾共振技術,可以有效的抑制雜訊、提高靈敏度,量產的可行性最高。


各家共通特點

從上面敘述各家的方法上可以清楚的看出Advanced In-cell touch 觸控技術有幾項共通的特點:


(1)不增加任何新元件,只改變現有結構中的圖案,所以不會降低開口率,也不會影響使用壽命。


(2)Sony、Apple和三星繼續使用互電容的觸控方法。


(3)Sony、Apple和三星都將原來整片的Vcom透明電極層圖案化。


(4)Sony、Apple和三星都要與LCD驅動IC分時作業,觸控掃瞄分配到的時間很少,報點的速度會降低。


(5)Sony、Apple和三星因為使用Vcom透明電極層當Tx訊號層使用,LCD內部I T O電容上的電壓會成為觸控感應層接收到的雜訊,這個雜訊影響會大過Gate line 與Dta line的訊號,就算觸控掃描的時候,LCD驅動IC是處於靜止狀態,Gate line與 Data line上都沒訊號,可是Pixel的ITO電容上的電壓是base在Vcom的電壓之上,當Vcom作為觸控用的訊號時,會形成疊加在Tx訊號上的雜訊,由ITO的電極直接影響 Rx 感應線,這個雜訊將是觸控IC設計廠商的重大挑戰。


(6)Sony、Apple和三星因為把 Vcom透明電極層圖案化,如此會加大V c o m透明電極層的電阻,造成LCD驅動IC於驅動上的設計困難,同時還會增加功率的消耗。


(7)Sony、Apple和三星為了要降低上述第五項所說的雜訊影響,必須增加Tx訊號的電壓,來增加SN R比。由於功耗與Tx訊號的電壓平方成正比,電壓每增加一倍,功率消耗增加四倍,此作法對功耗的考量非常不利,而低耗電卻是行動裝置的重要考量因素。


(8)在生產的良率上 SuperC_Touch與三星的結構要達到90%以上的良率很容易,Apple與Sony會有生產良率上的問題要克服。


圖三
圖三

觸控產品成功關鍵

總結來說,未來,Advanced In-cell Touch 的觸控產品成功關鍵,將會在觸控IC的雜訊抵抗能力,與測量的靈敏度。


再進一步看,Apple的成功所帶來的衝擊其實還在可承受的範圍,但是三星的結構如果成功,卻關係著台灣整個面板與觸控產業的存活,因為非Apple的業務會被三星搶走大部份。


而三星觸控面板可否成功的關鍵技術,則在有沒有可使用的觸控IC,因為Rx與Tx的距離只有不到10um,手指與Rx、Tx 距離卻有數百到數千um,相差了數百到數千倍,所以可預見偵測到的觸控變化量將會非常少。此外,如何解決嚴重雜訊也是關鍵挑戰。


一旦三星克服這些技術障礙,台灣將有兩兆以上的產業因接不到非Apple訂單而準備倒閉,影響遠大於Apple 的 In-cell Touch技術,因為Apple In-cell Touch 如果成功只會影響到供應鏈的宸鴻與勝華而已。


請容筆者再苦口婆心的強調一次,三星的成功所帶來的影響,對台灣的產業而言是全面性的,而程度是毀滅性的,必須要認真而且慎重的看待這件事。


(作者為SuperC Touch總經理)


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