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賦能未來,勇往直前:SiC MOSFET問世10周年的思索
 

【作者: John Palmour】   2021年04月20日 星期二

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在SiC MOSFET問世10周年之際,本文作者回顧科銳公司十年歷史所經歷的關鍵時刻,並且認為未來的發展會比過去曾經歷的增長還要巨大,因此為下一步即將增長的產業曲線提出卓見。



圖一 : 科銳聯合創始人兼首席技術官John Palmour 博士
圖一 : 科銳聯合創始人兼首席技術官John Palmour 博士

處於像我這樣的位置,能夠有幸參與到一個改變行業的重要產品的問世,感覺就是一生一遇的機會。所以通過回顧我們公司歷史十年前的關鍵時刻,發現我所能看到的,對於今天Wolfspeed將邁向何方,也會顯得特別地有意義。


在2011年,在經過了將近二十年的研發之後,科銳推出了全球首款SiC MOSFET。儘管業界先前曾十分懷疑這是否可能實現。在成功發佈之前,普遍的觀點是SiC功率電晶體是不可能實現的,因為太多的材料缺陷使其不可行。先前普遍的看法是不可能開發出可用的SiC MOSFET,因為SiC的氧化物絕緣體是不可靠的。我們的友商試圖嘗試用JFET和BJT等其他器件來繞開這個問題,而我們則始終堅持自己的信仰。因為我們知道MOSFET才是客戶最終想要的。我們堅信,我們可以通過採用SiC,開發出市面上最為強大和可靠的半導體。
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