2001年电子产业的不景气,使半导体跌落谷底,自然地也重创内存市场,由于供过于求十分严重,使平均单价急遽下滑,内存的主要业者几乎都难逃亏损的命运。尽管内存业亟欲分散内存市场,但是新兴应用市场短时间内仍无法扮演救火的角色。于是内存业者将走入少数业者得以幸存的局面,尤以DRAM最为明显。预料2001年DRAM市场将较2000年萎缩50%以上。(图一)以128M SDRAM的合约价为例,在2001年短短的半年,就从604美元跌落至1.8美元(表一),任何技术再好,会懂得成本控制的公司,却不堪承受这种价格剧烈下跌之变动的压力。
DRAM业者于是纷纷降低资本支出,以度过此一寒冬(表二)。此一现象有助于缓和业界总体产能的增加,但这并不够,还得需要刺激需求,方能一方面减少业者的库存压力,亦有助于价格的回稳。DRAM需求的动力有二,一是本自PC出货量的增加,二是内存平均搭载容量的增加。在2001年下半年之后,业界极力欲运用数个主题来营造有利于上述两者的环境,即Pentium 4 CPU的全面登场,以及Windows最新版本Windows XP的上市。
在2001年8月,Intel总裁贝瑞特来台,极力哄抬pc后势发展;复加上威盛推出支持Pentium 4的芯片组P4X266,大有凝造PC从谷底翻身的气氛。多少带给DRAM的胛求增加带来想象的空间。
2001年M市场创下1994年以来最低
实际上,上述事件对于PC和DRAM需求的刺激,并无任何帮助,只是在PC版图内斗争的一种现象,加速新旧产品的交替,却没有市场扩大之效。2001年中旬可以来发展的DRAM市场预测均指向-50%以上的衰退,自1994年以来,同时创下负成长最大和市场规模最小两项记录。上一次DRAM市场的峰值发生在1995年,翌年有大幅的衰退,幅度也只有40%,且市场总值尚有250亿美元,还高于2001年的120-140亿美元的预期。DRAM市场的确是一年不如一年,其老化或饱和的程度发生太快,超乎业界的想象。这种低潮似乎也明显掩盖了新PC技术崛起的光芒。以往PC技术的变革,不论是CPU或外围设备,都伴随着新应用,还常能引起市场热烈的回响,然而此次新的技术引进,不管是DDR或DRAM高速DRAM,或者更强有力的Pentium 4 CPU,都和应用脱节,自然失焦的现象就非常严重了。
表二 DRAM业者资本支出预测
|
1994 |
1995 |
1996 |
1997 |
1998 |
1999 |
2000 |
2001E |
2002E |
Samsung |
800 |
1600 |
2386 |
1640 |
1087 |
2500 |
3045 |
2150 |
2500 |
Micron Technology |
451 |
1076 |
1188 |
644 |
1000 |
1023 |
1365 |
1811 |
1000 |
Toshiba |
681 |
1089 |
1075 |
810 |
320 |
430 |
400 |
200 |
200 |
NEC |
1868 |
1912 |
1678 |
1326 |
1200 |
870 |
400 |
400 |
400 |
Nanya Tech |
0 |
0 |
343 |
224 |
175 |
640 |
666 |
259 |
435 |
Siemens (Infineon) |
562 |
1212 |
1642 |
749 |
441 |
595 |
884 |
1071 |
731 |
Hitachi |
1126 |
1654 |
1459 |
1073 |
400 |
480 |
400 |
200 |
200 |
Winbond |
74 |
500 |
192 |
392 |
610 |
614 |
410 |
166 |
529 |
Mitsubishi |
681 |
1089 |
1075 |
810 |
320 |
430 |
200 |
200 |
200 |
Fujitsu |
1000 |
1725 |
1767 |
1505 |
640 |
350 |
0 |
700 |
500 |
Elpida |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
500 |
700 |
0 |
Promos Mosel |
70 |
170 |
336 |
737 |
328 |
186 |
176 |
569 |
227 |
Tech Singapore |
100 |
430 |
520 |
105 |
100 |
200 |
250 |
200 |
200 |
Vanguard |
0 |
300 |
357 |
242 |
200 |
82 |
179 |
106 |
118 |
Powerchip |
0 |
200 |
602 |
178 |
229 |
207 |
311 |
120 |
0 |
Oki |
245 |
432 |
416 |
307 |
110 |
120 |
120 |
120 |
0 |
LG Semicon |
600 |
1360 |
1932 |
826 |
256 |
400 |
0 |
0 |
0 |
ASMI |
200 |
450 |
390 |
234 |
137 |
169 |
0 |
0 |
0 |
Total |
8258 |
14789 |
16968 |
12442 |
8290 |
9370 |
10507 |
9937 |
9129 |
% YoY |
62.3% |
79.1% |
14.7% |
-26.7% |
-33.4% |
12.3% |
12.9% |
-5.4% |
-8.1% |
Windows XP 刺激市场效益有效
在PC未来出货量预期低于两位数字的情况下,业界非常渴望Windows XP在2001年秋上市之后,能发挥大幅驱动PC搭载容量的效应,Windows XP的诉求在于宽带化的操作系统,强调动态影像的应用,需要极大的主存储器,最低128M;能充份发挥效果得需要256MB。既有的PC若欲提升至Windows XP,势必增加DRAM容量,问题是经济情势不佳,在PC相关的IT投资大幅削减,升级至Windows XP的意愿恐怕不高。再者,Windows 2000系统至今仍不稳定,更遑论Windows XP了。Windows 2000对主存储器容量的要求太大,已使PC用户却步,恐将延长Windows 98的寿命,Windows XP的被接受,恐要在2002年以后。最近部份证券公司再度调降2001年PC出货量的成长率,华宝证券从5%降至2%,JPM Morgan则修正为零成长。
Pentium 4 或者占一型式的高速DRAM组合,实质上并无刺激市场之效,而是一个没有什么成长的PC市场内,各对手内斗所利用的工具。从各个迹象显示,2001年下半年,PC的景气依然低迷。Infineon曾表示2001年的开学潮的刺激不易发现。事实上,此一现象在2000年就发生过了。不少证券分析公司亦观察到第三季的景气甚至有可能比第二季差。Microsoft、IBM和Apple都已承认第三季业绩可能比第二季下滑。
表三 2001年DRAM市场占有率预测
排名 |
业者名称 |
占有率 |
1 |
三星 |
22.9% |
2 |
Micron |
20.4% |
3 |
Hynih |
18.9% |
4 |
Infineon |
9.4% |
5 |
NEC |
6.4% |
6 |
东芝 |
6.3% |
7 |
日立 |
3.7% |
8 |
三菱 |
2.7% |
- |
其他 |
9.3% |
2002年下半年方有回温可能
DRAM市场状况依然低速,固然是PC需求持续往下探低所致,一线DRAM制造商不愿减产,以住占有率方是主因。Hynix虽已停止Oregon州的产线,减产幅度却只有10%;东芝业已准备减产,对象却是需求量不高的RDRAM。合计超过四成占有率的三星和Micron迟迟不愿减产,方是dram价格难以回稳的原凶。(表三)不管是Peutium 4,RDRAM或DDR、Windows XP,不但一切利器都用了,仍无助于PC市场的扩产,业者不自制的动作更使情势日益恶化。
业界反过来希望产量的减少,才能回市场正常的状态。由于业绩恶化,设备投资急速削减,使DRAM业界在先进设备的投资上减缓。另一方面,从0.25mm到0.18mm的微细化,已让业界吃足苦头。0.18mm到0.15mm以及0.10mm到0.13mm则同样面临严峻的考验。DRAM微细化最不遗余力的急先锋三星,原预定在2002年第二季迈入0.13mm,现已有延缓此议的说法。业界在微细化的脚步迟缓,将有助于提早结束供过于求。业界判断2002年下半年之后,将可明显获得改善,价格可望回复上涨。
表四 异步型携带式设备用DRAM规格
厂商 |
富士通 |
日立 |
NEC |
韩国三星 |
Seiko Epson |
Sharp |
名称 |
FCRAM |
Asynchronous PSRAM |
- |
UtRAM |
VSRAM |
SmartcomboRAM |
容量 |
16M bit |
32M bit |
16M bit |
32M bit |
16M bit |
16M bit |
外形 |
1M × 16 bit |
2M × 16 bit |
1M × 16 bit |
2M × 16 bit |
1M × 16 bit |
1M × 16 bit |
运转电量 |
20M a |
未公布 |
最大 35m A |
最大 25M a( 标准 18m A) |
15M a |
标准 25M a(25oC 下 ) 最大 30M a |
待机电量 (data 保持 ) |
最大 70uA(+85oC 时 ) |
约 30uA(+25oC 时 ) |
最大 100uA |
最大 200 uA( 标准 150 uA) |
50 uA |
标准 65 uA(+25oC 时 ) ,最大 30uA |
待机电量 (data 不保持 ) |
最大 10uA |
约 1uA(+25oC 时 ) |
最大 10ua( 标准 5Ua) |
10ua |
最大 10uA |
|
动作电压 |
+2.7V~+3.1V |
+2.5V 、 +3.0V |
+2.6V~+3.0V |
+2.7V~+3.3V |
+2.35V~+3.0V |
+2.7V~+3.3V |
时间 |
90ns |
70ns |
80ns |
100ns |
85ns |
90ns |
包装 |
48pin FBGA |
未公布 |
48 pin FBGA |
Flash EEPROM 积层品提供 |
外型尺寸 6m m × 9m m × 1.2m m |
Flash EEPROM 积层品提供 |
出货时间 |
出货中,量产规模: 2001 年 3 月时,月产 200 万个 |
2001 年后半样品出货 |
出货中,量产规模, 2001 年 4 月时,月产 100 万个 |
样品出货中,量产于 2001 年下半期 |
样品出货中,量产于 2001 年 8 月 |
样品出货中, 2001 年 7 月末,月产 60 万个,量产未定 |
业界致力分散市场,初期效果不大
追溯此次DRAM市场的不振,和过去的景气循环跌落谷底的成因并无不同,都是投资过剩,供过于求导致平均价急剧下跌。只不过此次收创的程度大过于从前。以后每年的DRAM总位需求量成长,即使在市场不好状态下,起码可维持80%,最坏则为50%,2001年却可能只有40%。DRAM需求的疲软发挥了助长恶化的作用。
DRAM业界基于以上的教训,莫不寄望复兴应用市场的崛起,得以分散PC市场,依Elpida的估计,以位数计算,在2000年时,PC占了65%,可是到了2004年将只剩下53%,服务器/工作站和移动电话手机等通讯、信息装置将是未来DRAM消耗量增加最快的应用。(图二)实际上DRAM业界已着手开发特殊应用DRAM,(表四、表五),以区隔PC之内存市场,创造较佳利润空间。只是手机要到2.5G和3G才会使用到DRAM,且容量不大,在短期内仍难创造够大的市场。故只有少数规模够大的DRAM业者,方能在未来生存下去。这即是为何在Motorola、TI等相继退出市场,NEC和日立将DRAM部门独立出去,另成立合资企业Elpida之后,在2001年8月又传出东芝考虑卖出DRAM部门给三星或Infioeon的原因。
表五 同步型携带式设备用DRAM规格
厂商 |
Infineon |
Micron |
三菱 |
Oki |
名称 |
Mobile-RAM |
BAT-RAM |
LP-SDRAM |
未定 |
容量 |
128M bit |
64M bit |
64M bit/ 128M bit |
64M bit |
外形 |
8M × 16 bit |
2M × 32 bit 4M × 16bit |
4M × 16bit/ 8M × 16bit(16bit 产品检讨中 ) |
4M × 16bit |
运转电量 |
未公布 |
35m A |
50m A |
75m A |
待机电量 (data 保持 ) |
650uA ~ 700uA |
350uA |
300uA( 64M bit) |
200 uA |
待机电量 (data 不保持 ) |
10uA |
10uA |
10uA( 64M bit) |
1ua |
动作电压 |
Cell +2.5V , I10+1.8V |
+3.3V/+2.5V |
+2.3V~+2.7V +2.7V~+3.0V |
+2.0V |
时间 |
未公开 |
8ns |
10ns |
15ns |
外型尺寸 |
8m m × 9m m |
9m m × 13m m |
- |
检讨中 |
包装 |
54 端子 FBGA |
90 端子 FBGA |
- |
检讨中 |
出货时间 |
2001 年第 2 四半期样品出货, 2001 年未量产 |
+3.3V 动作品,量产中, +2.5V 动作品 (2001 篙二四半期量产 ) |
2001 年 7 月 64M 样品出货量产于 2001 年第四期后半 |
2001 年第 4 四半期样品出货, 2002 年第 1 四半期量产 |