鳍式场效晶体管的出现对集成电路物理设计及可测性设计流程具有重大影响。鳍式场效晶体管的引进意味着在集成电路设计制程中互补金属氧化物（CMOS）晶体管必须被建模成三维（3D）的组件，这包含了各种复杂性和不确定性。加州大学伯克莱分校组件组的BSIM组开发出了一个模型，被称作BSIM-CMG （common multi-gate）模型，来代表存在鳍式场效晶体管的电阻和电容。晶圆代工厂竭力提供精准组件及寄生数据，同时也致力于保留先前制程所采用的使用模型。

寄生提取挑战

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